트랜스폼의 전략적 협력사 야스카와, 1560만달러 부채를 주당 5달러의 트랜스폼 보통주로 전환

서보 및 산업용 모터 드라이브 제품 개발 위해 강력한 협력 관계 이어갈 것

2021-10-08 14:55 출처: Transphorm, Inc.

골레타, 캘리포니아--(뉴스와이어) 2021년 10월 08일 -- 신뢰성 높은 고성능 질화갈륨(GaN) 전력 변환 제품을 공급하는 선구적 글로벌 기업인 트랜스폼(Transphorm, Inc.)(미국장외시장: TGAN)이 야사카와전기(Yaskawa Electric)의 1560만달러 트랜스폼 전환사채 100%가 주당 5.00달러의 트랜스폼 보통주로 전환된다고 7일 발표했다.

야스카와전기는 중저전압 가변 주파수 드라이브, 서보 모터, 기계 컨트롤러 및 산업용 로봇을 제조하는 세계 선도 기업으로 37억달러 이상의 연 매출을 올리고 있다.

트랜스폼과 야스카와는 로봇 공학 및 모션 제어를 위한 서보 드라이브용 GaN 제품 개발은 물론 광범위한 산업 및 백색 가전제품 애플리케이션을 위해 체결한 다년간의 파트너십을 이어가고 있다. 야스카와는 서보 모터 및 가변 주파수 드라이브 등 혁신적인 다양한 산업용 전력 변환 애플리케이션에 트랜스폼의 우수한 GaN 전력 장치 제품을 적용할 계획이다.

야스카와전기의 최고기술책임자 겸 전무이사인 아키라 쿠마가에(Akira Kumagae)는 이번 발표에 대해 “우리는 트랜스폼의 주주로서 다양한 모션 제어 애플리케이션에 적합한 신뢰할 수 있는 고전력 GaN 제품 개발을 계속 지원할 수 있게 돼 기쁘게 생각한다. 트랜스폼의 GaN FET 솔루션을 활용한 고주파, 고효율 GaN 전력 장치 및 모듈은 단락 회로 보호 기능과 같은 엄격한 시스템 요구 사항에 부응할 것”이라고 밝혔다.

트랜스폼의 우메시 미시라(Umesh Mishra) 회장, 최고기술책임자(CTO) 겸 공동 설립자는 “트랜스폼은 야스카와전기와의 장기 협력 관계를 매우 소중하게 여기며 모션 제어 및 로봇 공학 분야의 세계 선도 기업을 우리의 전략적 주주로 맞이하게 돼 기쁘게 생각한다”며 “트랜스폼은 야스카와가 1560만달러의 부채를 주당 5.00달러의 트랜스폼 주식으로 전환하면서 보여준 신뢰에 감사한다. 야스카와는 트랜스폼이 GaN 로드맵에서 핵심적인 개발을 성공하고 산업 및 모터 제어 시장에 고성능 전력 장치를 공급할 수 있도록 지원하고 있다”고 말했다.

전환된 트랜스폼 부채는 공정 시장 가치 추정치를 기반으로 트랜스폼의 대차대조표에 1700만달러 이상의 양(+)의 주주 지분으로 추가된다. 이 투자의 결과로 야스카와는 총 지분의 약 7%에 해당하는 약 310만주의 트랜스폼 주식을 보유하게 된다.

프리밋 파리크(Primit Parikh) 공동 설립자 겸 사장은 “이번 지분 전환은 트랜스폼의 대차대조표를 크게 강화하는 것은 물론 회사가 발표한 대로 보통주 주식을 나스닥에 상장하는 계획을 실행하는 데 중요한 역할을 할 것이다. 또 최고의 품질과 신뢰성으로 45와트에서 10킬로와트 범위에 이르는 제품을 보유한 회사의 선도적인 고전압 GaN 플랫폼의 강점을 확인시켜준다. 경쟁이 치열한 GaN 플랫폼이 이처럼 광범위한 전력 수준 또는 애플리케이션을 아우르고 실제 생산에 이른 사례는 지금까지 없었으며, ‘ICs’와 같은 GaN을 사용하는 타제품의 성능은 일반적으로 500와트 미만으로 국한돼 있다”고 설명했다.

시장에서 인정받는 트랜스폼 기술

트랜스폼의 독점 GaN 플랫폼은 45와트의 고속 충전기/어댑터에서 1-4kW 게임, 데이터 센터 서버 및 암호화 전원 공급 장치, 고전력 산업, UPS 및 자동차 컨버터/인버터에 이르기까지 전력 변환 애플리케이션 성능 요구 사항 충족 면에서 경쟁 솔루션과 차별화돼 있다. 트랜스폼은 수직으로 통합돼 FET 설계 자체, 에피택시 출발 물질 및 제조 공정의 혁신과 발전을 제어하는 몇 안 되는 고전압 GaN 제조업체 중 하나다. 회사가 이룬 성과는 다음과 같다.

· 저전력 어댑터 및 고속 충전기 채택 증가: 소형 PQFN 패키지의 SuperGaN® Gen IV 플랫폼 단위 출하량은 2020년 7월부터 2021년 6월까지 분기별 성장률(CAGR)이 200% 이상 증가했다. 이 플랫폼은 우수한 GaN 장치 성능 및 드라이버가 통합된 표준 컨트롤러와의 호환성을 보장하며, 그 결과 트랜스폼 GaN FET에 가장 포괄적인 설계 및 드라이브 유연성을 제공한다. e-모드 또는 ‘ICs’와 같은 타 GaN 제품으로는 이러한 구현이 어려워 추가 중복 드라이버나 인터페이스 회로가 필요하다.
· 게임, 서버, 크립토마이닝 및 산업/에너지 애플리케이션에 고전력 제품 공급: 광범위하게 이용되는 우수한 단열 포장재인 TO-247 패키지로 제공되는 Gen III, SuperGaN Gen IV, Gen V 기반 단위 출하량이 증가하고 있다. 트랜스폼의 GaN 및 티타늄 효율 정격 전원 공급 장치와 같은 고객 솔루션은 이미 몇 년 동안 업계의 벤치마크를 수립했다. 이 같은 견고한 패키지 성능은 표준 리드 패키지에서는 각 GaN 장치 특유의 손상 민감성으로 인해 e-모드 또는 ‘IC’ GaN 유형의 제품으로 실현이 어려운 것이다.
· 동급 최강의 품질과 신뢰성 높은 볼륨 재현성: 트랜스폼의 FET는 200억시간 이상의 현장 신뢰성 테스트에서 평균고장률(FIT)이 0.4 이하를 기록했다. 이는 장치를 10억시간 작동하는 동안 고장이 1회 이하로 발생한다는 것을 의미한다. AFSW 웨이퍼-팹(wafer-fab)에서 제어하는 트랜스폼의 독점 제조 공정은 동일 웨이퍼-팹의 실리콘 수율에 맞먹는 대량 수율을 보장한다.

트랜스폼(Transphorm) 개요

GaN 혁신을 주도하는 글로벌 선도 기업 트랜스폼은 고전압 전력 변환 애플리케이션을 위한 최고의 성능과 신뢰성을 갖춘 고전압 GaN 반도체를 설계하고 제조한다. 1000개 이상의 특허를 소유 또는 허가받아 최다 전력 GaN IP(지적 재산) 포트폴리오를 보유하고 있으며, 업계 최초의 JEDEC 및 AEC-Q101 인증 GaN 반도체 소자를 생산한다. 수직으로 통합된 장치 비즈니스 모델을 통해 설계, 제작, 장치 및 응용 프로그램 지원 등 모든 개발 단계에서 혁신을 일으키고 있다. 트랜스폼은 혁신을 통해 전자제품이 실리콘의 한계를 넘어서게 함으로써 99% 이상의 효율을 달성하고 전력 밀도를 40% 이상 높이는 한편, 시스템 비용을 20% 절감하고 있다. 트랜스폼 본사는 미국 캘리포니아주 골레타에 자리하고 있으며 골레타와 일본 아이즈(Aizu)에 생산 시설이 있다. 자세한 정보는 웹사이트(www.transphormusa.com), 트위터(@transphormusa) 또는 위챗(TransphormGaN)에서 확인할 수 있다.

미래예측진술

이 보도자료에는 회사의 기술, 생산 제품, GaN 기술의 업계 채택, 회사의 파이프라인과 미래 예상 성장 등 1934년 증권거래법 제21E항과 1933년 미국 증권법 제27A항에 의거한 미래예측진술이 포함돼 있다. 미래예측진술은 일반적으로 예측성 진술을 포함하며 미래 사건이나 상황에 의존하거나 영향을 받는다. 이러한 진술에는 ‘~일 수 있다’, ‘~할 것이다’, ‘~해야 한다’, ‘~일 것이다’, ‘계획하다’, ‘믿다’, ‘의도하다’, ‘기대하다‘ 등의 표현과 기타 유사 표현이 사용된다. 역사적 사실이 아닌 진술은 미래예측진술이다. 미래예측진술은 위험성과 불확실성에 영향을 받으며 미래 실적을 보장하지 않는 현재의 믿음과 가정에 기초한다. 실제 결과는 다양한 요인으로 인해 미래예측진술 내용과 실질적으로 달라질 수 있다. 이러한 요인으로는 추가 자금 조달 요구 및 자본 활용 등 트랜스폼 운영과 관련된 위험, 경쟁, 트랜스폼의 지적재산권 보호 능력, 미국 증권거래위원회(SEC)에 제출한 자료에 기술된 기타 위험 등이 있으나 여기에 국한되지 않는다. 회사는 관련법에서 요구하는 경우를 제외하고 미래예측진술을 수정 또는 개정하거나 새로운 정보, 미래 사건 또는 그 밖의 사건을 반영한 다른 미래예측진술을 작성할 의무를 지지 않는다.

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